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GD25Q20CTIGR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
GD25Q20CTJG	文件：1.27312 Mbytes Page：64 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
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P25Q20HA-NXH-KT	文件：1.87491 Mbytes Page：76 Pages	UltraLowPower,4M/2M/1M/512K-bitSerialMultiI/OFlashMemory	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q20HA-NXH-KW	文件：1.87491 Mbytes Page：76 Pages	UltraLowPower,4M/2M/1M/512K-bitSerialMultiI/OFlashMemory	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q20HA-SSH-IR	文件：1.87491 Mbytes Page：76 Pages	UltraLowPower,4M/2M/1M/512K-bitSerialMultiI/OFlashMemory	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
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产品属性

产品编号：
GD25Q20CTIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
2Mb（256K x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
50µs，2.4ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP

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