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GD25Q16CXIGX	文件：2.73364 Mbytes Page：49 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	ELMElm Electronics ELMElm Electronics	ELM
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GD25Q16CZIG	文件：1.35166 Mbytes Page：68 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceBeijing Zhaoyi Innovation Technology Co., Ltd 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
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HM25Q16A	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25Q16B	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25Q16C	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
P25Q16L	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA

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产品属性

产品编号：
GD25Q16ESIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
16Mb（2M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
70µs，2ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
16MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	GD25Q16ESIGR	GD(兆易创新)	2023+	SOP-8-208mil	4550	全新原装正品	询价
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深圳市航润创能电子集团有限公司	GD25Q16ESIGR	兆易创新	21+	SOP-8	10000	原装现货假一赔十	询价

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