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P25Q16LA-SSH-KY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-IY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-NXH-KR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
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