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GD25Q16CZIG	文件：1.35166 Mbytes Page：68 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
GD25Q16CZJG	文件：1.35166 Mbytes Page：68 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
HM25Q16A	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25Q16B	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25Q16C	文件：3.83693 Mbytes Page：62 Pages	3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
P25Q16L	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16LA-NXH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16LA-NXH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16LA-NXH-IW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA

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