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GD25LQ32ESIGR

Package:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:32MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

T25LQ32ABEGT

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI

文件:8.65544 Mbytes 页数:74 Pages

HMSEMI

华之美半导体

T25LQ32ABEPT

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI

文件:8.65544 Mbytes 页数:74 Pages

HMSEMI

华之美半导体

T25LQ32ABIGT

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI

文件:8.65544 Mbytes 页数:74 Pages

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华之美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    GD25LQ32ESIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    32Mb(4M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O,QPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    60µs,2.4ms

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    32MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208

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更多GD25LQ32ESIGR供应商 更新时间2025-11-16 16:30:00