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GD25LQ256D集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
GD25LQ256D |
| 参数属性 | GD25LQ256D 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
| 功能描述 | 1.8V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash |
| 封装外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
1.58327 Mbytes |
| 页面数量 |
85 页 |
| 生产厂商 | GigaDevice GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
| 中文名称 | 兆易创新 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-13 23:00:00 |
| 人工找货 | GD25LQ256D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
GD25LQ256D规格书详情
GD25LQ256D属于集成电路(IC)的存储器。由北京兆易创新科技股份有限公司制造生产的GD25LQ256D存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
GD25LQ256DYIGR
- 制造商:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
256Mb(32M x 8)
- 存储器接口:
SPI - 四 I/O
- 写周期时间 - 字,页:
2.4ms
- 电压 - 供电:
1.65V ~ 2V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-WSON(6x8)
- 描述:
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GigaDevice(兆易创新) |
24+ |
WSON8EP(6.1x8) |
7350 |
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询价 | ||
GD(兆易创新) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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GD |
20+ |
QFN |
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GIGADEVIC |
25+ |
SON |
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GIGADEVICE/兆 |
24+ |
WSON8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
GD/兆易创新 |
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GD-MEMORY |
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QFN8 |
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GIGADEVICE/兆 |
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WSON8 |
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GD/兆易创新 |
25+ |
SON |
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