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GD25D10C集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号	GD25D10C
参数属性	GD25D10C 封装/外壳为8-XFDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
功能描述	MCU IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
封装外壳	8-XFDFN 裸露焊盘
文件大小	4.30145 Mbytes
页面数量	28 页
生产厂商	GigaDevice GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
中文名称	兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-9 23:00:00
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GD25D10C规格书详情

GD25D10C属于集成电路（IC）的存储器。由北京兆易创新科技股份有限公司制造生产的GD25D10C存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

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产品编号：
GD25D10CKIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
SPI - 双 I/O
写周期时间 - 字，页：
50µs，4ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-USON（1.5x1.5）
描述：
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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