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GS1002FL	文件：234.15 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGeneralPurposeRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
GS1002FL	文件：139.24 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
GS1002FL	文件：1.60872 Mbytes Page：3 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER FEATURES ▪Forsurfacemountedapplications ▪Lowprofilepackage ▪GlassPassivatedChipJuntion ▪Idealforautomatedplacement ▪LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
GS1002FL	文件：481.16 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDRECTIFIER Features ·Forsurfacemountedapplications ·Glasspassivatedjunction ·Lowprofilepackage ·Idealforautomatedplacement ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10 seconds,atterminals	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
GS1002FL	文件：51.77 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSTANDARDDIODE LowProfile1.08mmMax.CaseHeight GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto30APeak IdeallySuitedforAutomaticAssembly PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GS1002FL-AU	文件：716.96 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEGENERALPURPOSERECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
HA1002	文件：37.09 Kbytes Page：4 Pages	1.1-1.7GHzLowNoiseAmplifier	HBH HBH Microwave GmbH	HBH
HAF1002	文件：35.21 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF1002	文件：97.05 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitopertiontoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF1002L	文件：35.21 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

详细参数

型号：
GCIXF1002EDT
制造商：
Intel
功能描述：
Ethernet CTLR Single Chip 1000Mbps 3.3V 304-Pin ESBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GCIXF1002EDT供应商更新时间2025-7-12 16:20:00

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