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GC2301	文件：239.4 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司
GC2301	文件：243.73 Kbytes Page：4 Pages	P - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETL E-Tech Electronics LTD
2301	文件：170.48 Kbytes Page：3 Pages	1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2301	文件：5.03147 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2301	文件：111.41 Kbytes Page：4 Pages	-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2301	文件：171.02 Kbytes Page：3 Pages	10VP-ChannelEnhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301A	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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2301S	文件：194.8 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
A-2301E	文件：202.06 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司
A-2301E	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
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A-2301SRD-A	文件：198.65 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司

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详细参数

型号：
GC2301
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GC2301供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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