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HD122	文件：40.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILIONDARLINGTONTRANSISTOR Description TheHD122isdesignedformediumpowerlinearandswitchingapplications.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HF-122	文件：86.25 Kbytes Page：1 Pages	WidebandRF/PulseTransformer1-500MHz/1-700MHz	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
HFZ122	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HFZ122BFKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HGZ122	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HI122	文件：22.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHI122isdesignedofgeneralpurposeandlowspeedswitchingapplications. Features •HighDCcurrentgain •Bult-inadamperdiodeatE-C	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HJ122	文件：32.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ122isdesignedforuseingeneralpurposesandlowspeedswitchingapplications. Features •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HLB122	文件：130.84 Kbytes Page：3 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDPLANARTYPEHIGHVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCHLB122isamediumpowertransistordesignedforuseinswitchingapplications. FEATURES Highbreakdownvoltage Lowcollectorsaturationvoltage *Fastswitchingspeed	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
HLB122D	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarTypeHighVoltageTransistor Description TheHLB122Disamediumpowertransistordesignedforuseinswitchingapplications. Features •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HLB122I	文件：34.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarTypeHighVoltageTransistors Description TheHLB121Iisamediumpowertransistordesignedforuseinswitchingapplications. Features •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

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产品属性

产品编号：
GC1220013
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
晶体，振荡器，谐振器 > 晶体
系列：
SaRonix-eCera™ GC
包装：
卷带（TR）
类型：
MHz 晶体
频率稳定性：
±30ppm
频率容差：
±30ppm
负载电容：
16pF
工作模式：
基谐
工作温度：
-20°C ~ 70°C
描述：
CRYSTAL 12.2880MHZ 16PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GC1220013		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多GC122供应商更新时间2025-7-26 11:06:00

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