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GC05MPS12-220	文件：2.37825 Mbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GC05MPS12-220	文件：481.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GC05MPS12-220	文件：304.56 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GC05MPS12-220	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GC05MPS12-220_18	文件：481.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GC05MPS12-220_V01	文件：304.56 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

产品属性

产品编号：
GC05MPS12-220
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
29A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
359pF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2

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更多GC05MPS12-220供应商更新时间2025-7-24 11:06:00

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