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GC01L60	文件：272.22 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The GC01L06 utilized advanced processing techniques to achieve the possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. Features * Simple Drive Requirement * Low Gate Charge * Fast Switching Characteristics 文件：272.22 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GC01L60	文件：275.37 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：275.37 Kbytes 页数：4 Pages	ETL 亚历电子	ETL
GC01L60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	ETL 亚历电子	ETL
GI01L60	文件：280.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：280.58 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GJ01L60	文件：257.7 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The GJ01L60 (TO-252) is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. Features * Repetitive Avalanche Rated * Simple Drive Requirement * Fast Switching Speed * RoHS Compliant 文件：257.7 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
SCT01L60	文件：449.7 Kbytes Page：6 Pages	Triac 文件：449.7 Kbytes 页数：6 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

更多GC01L60供应商更新时间2025-10-13 11:10:00