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GBS030R8TLAR数据手册GOSEMICON中文资料规格书

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厂商型号

GBS030R8TLAR

功能描述

N-channel 30V 1.05mΩ(典型值)功率MOSFET

制造商

GOSEMICON GOSEMICON Tech

中文名称

顾邦半导体 深圳市顾邦半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:30:00

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GBS030R8TLAR规格书详情

描述 Description

30V 低压 SGT MOSFET, 实现了超低导通电阻,使该器件适用于电池应用。得益于在开关性能和导通性能之间的出色平衡,GBS030R8T 在硬开关和软开关拓扑中都提供了非常高的效率。GBS030R8TLAR 提供 TOLL-8 封装。

特性 Features

• 30V 击穿电压
• 超低 RDS-ON=1.05mΩ
• 在高结温 (Tj) 下具有超低 RDS-ON
• 高可靠性
• TOLL-8 封装

应用 Application

• 电池充电器
• 电池管理系统 (BMS)
• 开关电压调节器
• 电机驱动器

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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120
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