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GBLC03CDG数据手册FutureWafer中文资料规格书

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厂商型号

GBLC03CDG

功能描述

ESD Device

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GBLC03CDG

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Breakdown Voltage

    :4.0 V.Min

  • Peak Pulse Current

    :30 A

  • Junction Capacitance

    :0.8 pF.Max

  • Configure

    :Bi-Dir

  • Peak Pulse Power

    :500 W

  • ESD Level

    :30 KV

  • Package

    :DFN1610-2L

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