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GBJ2008中文资料bridge rectifier数据手册Diodes规格书

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厂商型号

GBJ2008

参数属性

GBJ2008 封装/外壳为4-ESIP;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-桥式整流器;产品描述:BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ

功能描述

bridge rectifier

封装外壳

4-ESIP

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:30:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GBJ2008

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :1.05

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :60 pF

  • MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)

    :20 A

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :800 V

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :240 A

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :10 µA

  • Packages

    :GBJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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