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详细参数
- 型号:
GB50RF60K
- 功能描述:
IGBT 模块 80 Amp 600 Volt Non-Punch Through
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
55 |
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询价 | ||
GENESIC |
25+ |
TO-247 |
26 |
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GeneSiC |
22+ |
NA |
55 |
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询价 | ||
GeneSiC Semiconductor |
25+ |
TO-247-2 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
GeneSiC |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
IR |
22+ |
MODULE |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
MODULE |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
MODULE |
7000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
50A1200V |
420 |
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IR |
24+ |
模块 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |
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更新时间2026-1-31 10:18:00
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