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GB25XF120K中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
GB25XF120K
- 功能描述:
IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
18+ |
2173 |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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IR |
23+ |
25A1200V |
120 |
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Gordos |
2 |
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VishaySemiconductors |
2022 |
ECONO2 |
58 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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IR |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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IR |
23+ |
MODULE |
30988 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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IR |
22+ |
MODULE |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
16+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
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