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GB100XCP12-227中文资料Silicon IGBT/SiC Freewheeling Diode数据手册Navitas规格书

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厂商型号

GB100XCP12-227

参数属性

GB100XCP12-227 封装/外壳为SOT-227-4;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 100A SOT227

功能描述

Silicon IGBT/SiC Freewheeling Diode

封装外壳

SOT-227-4

制造商

Navitas Navitas Semiconductor

中文名称

纳微半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:11:00

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技术参数

  • 产品编号:

    GB100XCP12-227

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    PT

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,100A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4

  • 供应商器件封装:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 100A SOT227

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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