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GAQW2V040TST	文件：803.3 Kbytes Page：7 Pages	48V Input, 2.0VDC, 40A Output 文件：803.3 Kbytes 页数：7 Pages	GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	GALAXY
NTE2V040	文件：67.13 Kbytes Page：3 Pages	Metal Oxide Varistors (MOV) 文件：67.13 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2V040	文件：27.74 Kbytes Page：3 Pages	Metal Oxide Varistors (MOV) Description: The NTE Metal Oxide Varistors feature a barrier layer that gives the user fast response time. These devices have a high transient current handling capability when high voltage is applied. Static resistance is, however, very high under low voltage conditions, permitting low standby 文件：27.74 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
2V040	文件：67.42 Kbytes Page：3 Pages	High Transient Current Capability 文件：67.42 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
GAMW2V040	文件：971.26 Kbytes Page：7 Pages	48V Input, 2.0VDC, 40A Output 文件：971.26 Kbytes 页数：7 Pages	GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	GALAXY
GAMW2V040EET	文件：971.26 Kbytes Page：7 Pages	48V Input, 2.0VDC, 40A Output 文件：971.26 Kbytes 页数：7 Pages	GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	GALAXY

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