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GAP3SLT33分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

GAP3SLT33

参数属性

GAP3SLT33 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

封装外壳

TO-220-2 整包

文件大小

284.52 Kbytes

页面数量

2 页

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2026-10-16 19:57:00

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GAP3SLT33规格书详情

FEATURES

·Multi-layer Metal -Silicon Potential Structure

·Low Leakage Current

·High Current Capability, High Efficiency

·High Junction Temperature Capability

产品属性

  • 产品编号:

    GAP3SLT33-220FP

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SiC Schottky MPS™

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    300mA

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    42pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-223
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