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HER253G	文件：55.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Lowpowerloss,highefficiency •Lowleakage •Highspeedswitching •Highsurgecapacity •Hightemperaturesolderingguaranteed260℃/10seconds,0.375″(9.5mm)leadlength	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
HER253G	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	PlasticHigh-EfficiencyRectifiersReverseVoltage50to1000VForwardCurrent2.5A ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent2.5A Features •Glasspassivatedchip •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
HER253G	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	PlasticHigh-EfficiencyRectifiers	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
INA253	文件：639.09 Kbytes Page：24 Pages	HighVoltage,Bidirectional,Zero-Drift,Current-ShuntMonitorwithIntegrated2-m廓PrecisionLowInductiveShuntResistor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA253	文件：1.40335 Mbytes Page：34 Pages	HighVoltage,Bidirectional,Zero-Drift,Current-ShuntMonitorWithIntegrated,2-m(ohm),Precision,LowInductiveShuntResistor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IQS253	文件：2.82011 Mbytes Page：54 Pages	Configurable3ChannelDYCALCapacitiveSensorwithAutomaticCompensation	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF253	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF253	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF253	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF253	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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