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GAL20XV10B-10LJ	文件：234.08 Kbytes Page：14 Pages	High-Speed E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL20XV10combinesahighperformanceCMOSprocesswithelectricallyerasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedExclusive-ORPLDavailableinthemarket.At90mAmaximumIcc(75mAtypicalIcc),theGAL20XV10providesasubstantialsavingsinpowerwhenc	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL20XV10B-10LP	文件：234.08 Kbytes Page：14 Pages	High-SpeedE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL20XV10combinesahighperformanceCMOSprocesswithelectricallyerasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedExclusive-ORPLDavailableinthemarket.At90mAmaximumIcc(75mAtypicalIcc),theGAL20XV10providesasubstantialsavingsinpowerwhenc	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体

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GAL20XV10B-10LJ

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High-Speed E2CMOS PLD Generic Array Logic

Description TheGAL20XV10combinesahighperformanceCMOSprocesswithelectricallyerasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedExclusive-ORPLDavailableinthemarket.At90mAmaximumIcc(75mAtypicalIcc),theGAL20XV10providesasubstantialsavingsinpowerwhenc

LatticeLattice Semiconductor Corporation

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GAL20XV10B-10LP

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High-SpeedE2CMOSPLDGenericArrayLogic

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

详细参数

型号：
GAL20XV10B-10LJ
功能描述：
SPLD - 简单可编程逻辑器件 Use GAL20V8B/C
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
逻辑系列：
TICPAL22V10Z
大电池数量：
10
最大工作频率：
66 MHz
延迟时间：
25 ns
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 uA
最大工作温度：
+ 75 C
最小工作温度：
0 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
DIP-24

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