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GA10JT12-263数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

GA10JT12-263

参数属性

GA10JT12-263 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANS SJT 1200V 25A

功能描述

SiC Junction Transistors

制造商

Navitas Navitas Semiconductor

中文名称

纳微半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    GA10JT12-263

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    25A(Tc)

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    120 毫欧 @ 10A

  • 功率耗散(最大值):

    170W(Tc)

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 描述:

    TRANS SJT 1200V 25A

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