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GA05JT12-247

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GA05JT12-247

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

GA05JT12-247_15

OFF Silicon Carbide Junction Transistor

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    GA05JT12-247

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    5A(Tc)

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    280 毫欧 @ 5A

  • 功率耗散(最大值):

    106W(Tc)

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247AB

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

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更多GA05JT12-247供应商 更新时间2024-5-26 14:12:00