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GA04JT17-247

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor

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GENESIC

GA04JT17-247

SiC Junction Transistors

Navitas

纳微半导体

GA04JT17-247

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

GA04JT17-247_15

OFF Silicon Carbide Junction Transistor

文件:1.39519 Mbytes 页数:12 Pages

GENESIC

产品属性

  • 产品编号:

    GA04JT17-247

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    4A(Tc)(95°C)

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    480 毫欧 @ 4A

  • 功率耗散(最大值):

    106W(Tc)

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247AB

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC
1935+
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GENESIC
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22+
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GeneSiC
22+
TO-247AB
6000
十年配单,只做原装
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GeneSiC Semiconductor
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TO-247-3
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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OKI
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原装正品,假一罚十
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23+
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多GA04JT17-247供应商 更新时间2026-7-27 10:21:00