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GA03JT12-247中文资料PDF规格书
厂商型号 |
GA03JT12-247 |
参数属性 | GA03JT12-247 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:TRANS SJT 1200V 3A TO247AB |
功能描述 | Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor |
文件大小 |
903.25 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
企业简称 |
GENESIC |
中文名称 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-12 8:24:00 |
产品属性
- 产品编号:
GA03JT12-247
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
管件
- 技术:
SiC(碳化硅结晶体管)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
3A(Tc)(95°C)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
460 毫欧 @ 3A
- 功率耗散(最大值):
15W(Tc)
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-247AB
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 描述:
TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC Semiconductor |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
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VISHAY(威世) |
23+ |
0402 |
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GENESIC |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
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GeneSiC |
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