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G8921-01	文件：115.25 Kbytes Page：2 Pages	GaAs PIN photodiode array GaAs PIN photodiode array Photodiode array for data communication Features ● Active area: φ0.06 mm Element pitch: 250 µm 4-element array ● High-speed response: 10 Gbps [(2.5 Gbps per channel) ×4] at low bias voltage (VR=2 V) ● Low dark current, low capacitance ● Up to 16 elements 文件：115.25 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
G8921-01	文件：124.56 Kbytes Page：2 Pages	GaAs PIN photodiode array 文件：124.56 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
G8921-01	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaAs PIN photodiode array	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
G8921-01_04	文件：124.56 Kbytes Page：2 Pages	GaAs PIN photodiode array 文件：124.56 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

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