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G7K2N20HE中文资料200V N Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G7K2N20HE

功能描述

200V N Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G7K2N20HE

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :SOT-223

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :YES

  • Vds(V)

    :200

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :2

  • Pd(W)

    :1.8

  • Vgs(th)max(V)

    :2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :550

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :570

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :700

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :720

  • Qg(nC)

    :10.8

  • Qgs(nC)

    :1.7

  • Qgd(nC)

    :3.1

  • Ciss(pF)

    :568

  • Crss(pF)

    :10

  • Technology

    :TRENCH

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