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G4S6508Z

包装:管件 封装/外壳:8-PowerTDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5

Global Power Technology Co. Ltd

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G4S6508Z

包装:剪切带(CT)带盒(TB) 封装/外壳:8-PowerTDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*

Global Power Technology-GPT

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产品属性

  • 产品编号:

    G4S6508Z

  • 制造商:

    Global Power Technology Co. Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30.5A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    395pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(4.9x5.75)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Global Power Technology-GPT
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更多G4S6508Z供应商 更新时间2024-6-24 9:02:00