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G3S12015L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 3-P	Global Power Technology Co. Ltd	Global Power Technology Co. Ltd
G3S12015L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 3-P	Global Power Technology-GPT	Global Power Technology-GPT
SC3S12015A	文件：1.10119 Mbytes Page：6 Pages	1200V/15A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode 文件：1.10119 Mbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
G3SBA60	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-4	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市宇创芯科技有限公司	Vishay
G3VM-601BY	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP6	OMRON/欧姆龙上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	OMRON/欧姆龙

产品属性

产品编号：
G3S12015L
制造商：
Global Power Technology Co. Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
55A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1700pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AB
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 3-P

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