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G3S12010BM

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

Global Power Technology Co. Ltd

Global Power Technology Co. Ltd

Global Power Technology Co. Ltd

G3S12010BM

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

Global Power Technology-GPT

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Global Power Technology-GPT

SC3S12010A

1200V/10ASiliconCarbidePowerSchottkyBarrierDiode

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

SC3S12010B

1200V/10ASiliconCarbidePowerSchottkyBarrierDiode

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    G3S12010BM

  • 制造商:

    Global Power Technology Co. Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    19.8A(DC)

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AB

  • 描述:

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Global Power Technology-GPT
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更多G3S12010BM供应商 更新时间2024-5-17 15:00:00