G30N60B3D数据手册ONSEMI中文资料规格书
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描述 Description
60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
with Anti-Parallel Hyperfast DiodeThe HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.
特性 Features
• 60A, 600V, TC= 25oC
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ= 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
技术参数
- 型号：
G30N60B3D
- 制造商：
FAIRCHILD
- 制造商全称：
Fairchild Semiconductor
- 功能描述：
60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
SOT-5102&NBS |
6700 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO247 |
3144 |
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FSC |
23+ |
TO247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-247 |
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23+ |
TO-3P |
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哈理斯 |
TO-247 |
68500 |
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ON SEMI |
23+ |
N/A |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-3P |
120 |
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TO-3P |
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05+ |
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