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G2K3N10H中文资料100V N Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G2K3N10H

功能描述

100V N Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-13 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G2K3N10H

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :SOT-223

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :100

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :2

  • Pd(W)

    :2.4

  • Vgs(th)max(V)

    :2

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :190

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :195

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :220

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :230

  • Qg(nC)

    :13

  • Qgs(nC)

    :2.5

  • Qgd(nC)

    :1.3

  • Ciss(pF)

    :434

  • Crss(pF)

    :10

  • Technology

    :TRENCH

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