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G250N03IE中文资料30V N Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G250N03IE

功能描述

30V N Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 11:55:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G250N03IE

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :SOT-23

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :YES

  • Vds(V)

    :30

  • Vgs(V)

    :±10

  • Id(A)

    :5.3

  • Pd(W)

    :1.4

  • Vgs(th)max(V)

    :1.3

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :21

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :24

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=2.5V

    :37

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :25

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :30

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=2.5V

    :50

  • Qg(nC)

    :14

  • Qgs(nC)

    :1

  • Qgd(nC)

    :2.5

  • Ciss(pF)

    :573

  • Crss(pF)

    :56

  • Technology

    :TRENCH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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