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G22001 | RF POWER GAN TRANSISTOR General Description Polyfets GAN (on SiC) HEMT power transistors contain no internal matching; making them suitable for both broadband and narrow band applications. The use of a thermally enhanced package enables this device to have superior heat dissipation properties. The high drain break down 文件：47.46 Kbytes 页数：2 Pages | Polyfet | Polyfet | |
G22001 | GaN SHORTFORM | Polyfet RF Devices | Polyfet RF Devices | |
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220MHz SAW Filter 64MHz Bandwidth 文件：133.37 Kbytes 页数：3 Pages | SIPAT 胜普电子 | SIPAT |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-12-21 11:01:00
