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G2053FC1U

电机驱动

GMT

致新科技

UPG2053K-E3

丝印:G2053;Package:QFN;GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • HIGH ISOLATION : ISL = 38 dB TYP. @ f = 0.95 to 2.15 GHz, VCONT = +5.0 V/0 V • CONTROL VOLTAGE : VCONT (H) = +4.5 to +5.5 V (+5.0 V TYP.) : VCONT (L) = −0.5 to +0.5 V (0 V TYP.) • LOW INSERTION LOSS : LINS = 6.0 dB TYP. @ f = 0.95 to 2.15 GHz, VCONT = +5.0 V/0 V, ZO = 50 Ω • 20-PIN

文件:256.899 Kbytes 页数:14 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2053M

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:27.39 Kbytes 页数:4 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

HAT2053M

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:63.87 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2053M-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:63.87 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GMT/致新科技
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TSSOP-16
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更多G2053供应商 更新时间2025-12-15 9:44:00