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HGTG12N60D1	文件：36.73 Kbytes Page：6 Pages	12A,600VN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelUltrafastDiode Description TheIGBTisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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更多G12N60D1供应商更新时间2024-6-3 16:04:00

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