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G115P06M中文资料-60V P Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G115P06M

功能描述

-60V P Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G115P06M

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-263

  • Type

    :P

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :-60

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :-98

  • Pd(W)

    :211.9

  • Vgs(th)max(V)

    :-4

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :9

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :11.5

  • Qg(nC)

    :125

  • Qgs(nC)

    :27

  • Qgd(nC)

    :32

  • Ciss(pF)

    :9430

  • Crss(pF)

    :475

  • Technology

    :TRENCH

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