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G115P06M中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G115P06M

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G115P06

封装外壳

TO-263

文件大小

917.71 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

GOFORD

中文名称

谷峰半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 15:10:00

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G115P06M规格书详情

描述 Description

The G115P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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