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G09N06S2中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G09N06S2

功能描述

DUAL N-Channel Trench MOSFET

丝印标识

G09N06

封装外壳

SOP-8Dual

文件大小

807.38 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

GOFORD

中文名称

谷峰半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-23 18:00:00

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G09N06S2规格书详情

描述 Description

The G09N06S2 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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