FZT956Q中文资料PNP, 200V, 2A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT956Q |
| 参数属性 | FZT956Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223 |
| 功能描述 | PNP, 200V, 2A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:22:00 |
| 人工找货 | FZT956Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT956Q规格书详情
简介
FZT956Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT956Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
FZT956QTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
275mV @ 400mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，5V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZETEX |
20+ |
SOT223 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
N/A |
12245 |
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询价 | ||
ZETEX |
24+ |
SOT223 |
990000 |
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DIODES/美台 |
21+ |
NA |
30000 |
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Zetex Semiconductors |
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ZETEX |
24+ |
SOT-223 |
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询价 | ||
ZETEX |
25+ |
SOT223 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223 |
8080 |
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询价 | ||
ZETEX |
25+ |
SOT-223 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ZETEX |
24+ |
SOT-223 |
6850 |
新进库存/原装 |
询价 |
