FZT3019数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
FZT3019 |
| 参数属性 | FZT3019 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-4 |
| 功能描述 | NPN Medium Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FZT3019价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT3019规格书详情
特性 Features
•该器件设计用于要求集电极电流达到500 mA和集电极电压最高可达80 V的通用中等功率放大器和开关。
•采用工艺12设计。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FZT3019属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT3019晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT3019
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： NPN Medium Power Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 500mA
- IC Cont. (A)
：1
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：140
- VEBO (V)
：7
- VBE(sat) (V)
：Condition: IC = 150mA
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：Condition: IC = 150mA
- hFE Max
：Condition: IC = 150mA
- fT Min (MHz)
：Condition: IC = 50mA
- PTM Max (W)
：1
- Package Type
：SOT-223-4 / TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FAIRCHILD/仙童 |
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23+ |
SOT-223 |
27000 |
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询价 | ||
ZETEX/DIODES |
24+ |
SOT-223 |
500805 |
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