首页>FZ1800R45HL4>规格书详情
FZ1800R45HL4数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FZ1800R45HL4规格书详情
特性 Features
优势:
• Unbeatable Robustness
• First Module to enable >3.5 GW HVDC Plants at 525 kV
• 20% higher Power Density (compared to the Competition Flagship)
• Standardized Housing eases Design and Maintenance
简介
FZ1800R45HL4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FZ1800R45HL4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
FZ1800R45HL4S7BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
IHM-B
- 包装：
托盘
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 25V，1800A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
AG-IHVB190
- 描述：
IGBT MODULE
