| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPEC1800A1700V |
77 |
07+特价模块 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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EUPEC面议 |
19 |
6000 |
 专营模块 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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EUPEC模块 |
3562 |
23+ |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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EUPEC模块 |
120 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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EUPEC |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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EUPEC/欧派克NA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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EUPECMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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EUPECMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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EUPECMODULE |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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EUPECSOT-5016&NBS |
200 |
22+ |
专营模块 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-IHMB190-1 |
907 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)AGIHMB1901 |
6000 |
23+ |
FZ1800R17采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FZ1800R17图片
FZ1800R17HP4_B29中文资料Alldatasheet PDF
更多FZ1800R17HE4_B9功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17HP4_B29功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17HP4_B9功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17KE3_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.85KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17KF4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.8KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17KF6B2功能描述:IGBT Module
FZ1800R17KF6C_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.9KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17KF6C-B2功能描述:IGBT 模块 1700V 1800A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1800R17KF6CB2V功能描述:IGBT Module
