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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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    陈先生/周小姐

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INFINEON/英飞凌IGBT

3

18+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

2年 留言
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英飞凌N/A

1500

新批次

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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INFINEONT模块

2658

23+

深圳市华来深电子有限公司

11年 留言
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INFINEONIGBT

200

23+

原包装原标签特价销售

深圳市星佑电子有限公司

16年 留言
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EUPEC1200A3300V

77

07+特价模块

全新进口原装绝对公司现货特价!

深圳市瀚珑科技有限公司

2年 留言
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INFINEON/英飞凌SMD

10250

24+

只做原装现货13691986278微信

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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MODULE

2100

16+

公司大量全新现货 随时可以发货

深圳市勤思达科技有限公司

11年 留言
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72

23+

专业模块销售,欢迎咨询

深圳市勤思达科技有限公司

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INFINEON

100

原装现货,价格优惠

深圳市恒达亿科技有限公司

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FZ1200R33KF2C

Infineon模块

800

23+

进口原装诚信经营

深圳市赛尔通科技有限公司

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FZ1200R33KF2C

INFINEONT模块

2865

23+

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)A-IHV190-3

907

23+

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

深圳市金嘉锐电子有限公司

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INFINEONIGBT模块

32560

2024+

原装优势绝对有货

深圳市杰顺创科技有限公司

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    符小姐

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Infineon/英飞凌A-IHV190-3

6000

21+

原装现货正品

上海意淼电子科技有限公司

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INFINEON1200A,3300V

20000

23+

全新原装假一赔十

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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INFINEONmodule

6000

2018+

全新原装正品现货,假一赔佰

深圳市晴轩时代电子有限公司

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Infineon/英飞凌A-IHV190-3

8800

21+

公司只作原装正品

深圳市品优时代科技有限公司

5年 留言
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infineon/英飞凌NA

7000

2021/2022+

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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INFINEON/英飞凌MODULE

8513

专业模块

模块原装主营-可开原型号增税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

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    13128990370

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INFINEON/英飞凌MODULE

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FZ1200R33KF1功能描述:IGBT Module

FZ1200R33KF2功能描述:IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1200R33KF2-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

FZ1200R33KF2C功能描述:IGBT 晶体管 3300V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

FZ1200R33KF2C-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

FZ1200R33KL2制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

FZ1200R33KL2C功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1200R33KL2C_B5功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1200R33KL2C-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter