选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌IGBT |
3 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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INFINEONT模块 |
2658 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPEC1200A3300V |
77 |
07+特价模块 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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MODULE |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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72 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON |
100 |
原装现货,价格优惠 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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Infineon模块 |
800 |
23+ |
进口原装诚信经营 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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INFINEONT模块 |
2865 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)A-IHV190-3 |
907 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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INFINEONIGBT模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌A-IHV190-3 |
6000 |
21+ |
原装现货正品 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
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INFINEON1200A,3300V |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEONmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
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Infineon/英飞凌A-IHV190-3 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEON/英飞凌MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
FZ1200R33K采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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FZ1200R33KF2C资讯
FZ1200R33KF2C 全新原装
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更多FZ1200R33KF1功能描述:IGBT Module
FZ1200R33KF2功能描述:IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R33KF2-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2C功能描述:IGBT 晶体管 3300V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FZ1200R33KF2C-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R33KL2C_B5功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R33KL2C-B5制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter