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FZ1200R17HE4P中文资料1700 V、1200 A 单开关 IGBT 模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FZ1200R17HE4P

参数属性

FZ1200R17HE4P 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 1200A

功能描述

1700 V、1200 A 单开关 IGBT 模块
IGBT MODULE 1700V 1200A

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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FZ1200R17HE4P规格书详情

描述 Description

1700 V IHM B 130 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT 4 - The best solution for your industry applications. With pre-applied Thermal Interface Material. 

特性 Features

• Extended operation temperature Tvj op
• Low switching losses; Low VCEsat
• Tvj op = 150°C
• 4 kV AC 1min insulation
• Package with CTI > 400
• High creepage and clearance distances
• Copper base plate
• UL recognised

优势:
• High power density
• Standardized housing

简介

FZ1200R17HE4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FZ1200R17HE4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FZ1200R17HE4P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Single switch

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :1200 A

  • OPN

    :FZ1200R17HE4PHPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.95 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.8 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :IHM B

  • Features

    :TIM

  • Dimensions length

    :130 mm

  • Dimensions width

    :140 mm

  • Package name

    :AG-IHMB130

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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