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FD1000R33HE3-K	文件：522.809 Kbytes Page：12 Pages	IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
FZ1000R33HE3ENG
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多FZ1000R33HE3ENG供应商更新时间2024-4-27 15:00:00

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