FYP2010DN数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF
FYP2010DN规格书详情
特性 Features
•低正向压降
•高频特性和开关速度
•护圈，提供过压保护
•开关电源
•续流二极管
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FYP2010DN属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的FYP2010DN二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
：FYP2010DN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Configuration
：Dual & Common Cathode
- VRRM Min (V)
：100
- VF Max (V)
：750
- IRM Max (µA)
：100
- IO(rec) Max (A)
：20
- IFSM Max (A)
：150
- trr Max (ns)
：-
- Cj Max (pF)
：-
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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