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MCP618T-ISLASHP	文件：668.64 Kbytes Page：38 Pages	2.3Vto5.5VMicropowerBi-CMOSOpAmps	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP618T-ISLASHSL	文件：668.64 Kbytes Page：38 Pages	2.3Vto5.5VMicropowerBi-CMOSOpAmps	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP618T-ISLASHSN	文件：668.64 Kbytes Page：38 Pages	2.3Vto5.5VMicropowerBi-CMOSOpAmps	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP618T-ISLASHST	文件：668.64 Kbytes Page：38 Pages	2.3Vto5.5VMicropowerBi-CMOSOpAmps	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MF618	文件：278.82 Kbytes Page：1 Pages	Capacity(20-hour)110Ah	GSYUASABATTERY GS Yuasa Battery Sales UK Ltd	GSYUASABATTERY
NTE618	文件：17.66 Kbytes Page：2 Pages	VaractorSiliconTuningDiodeforAMRadio Description; TheNTE618isasiliconvaractordiodewithagoodlinearityandhighcapacitanceratiothatiscapableofbeinfoperatedfromalowvoltage.ThisdeviceisintendedforuseinAMreceiverelectronictuningapplications. Features: ●HighCapacitanceRatio:CR=15.5(Min) ●Guaran	NTE NTE Electronics	NTE
OPB618	文件：411.05 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOLOGICSLOTTEDOPTICALSWITCH Description EachOPB615seriesslottedopticalswitchconsistsofaninfraredemittingdiodeandamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaphotodiode,alinearamplifierandaSchmitttriggeronasinglesiliconchip. ThesensorsfeatureTTI/LSTTLcompatiblelogicleveloutput.Openc	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB618	文件：1.60173 Mbytes Page：9 Pages	PhotologicSlottedOpticalSwitch Description EachOPB615,OPB625andOPB665seriesslottedopticalswitchconsistsofan890nm,infraredLightEmittingDiode(LED)andamonolithicintegratedcircuitthatincorporatesaphotodiode,alinearamplifierandaSchmitttriggeronasinglesiliconchip.OPB665offerstwomountingopti	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OPB618	文件：891.74 Kbytes Page：9 Pages	Photologic®SlottedOpticalSwitch Features: •Non-contactswitching •PCBoardmounting •Enhancedsignaltonoiseratio •ChoiceoffourLogicaloutputoptions Description: EachOPB615,OPB625andOPB665seriesslottedopticalswitchconsistsofan890nm,infraredLightEmittingDiode(LED)andamonolithicintegratedcircu	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PD618BA	文件：193.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM

详细参数

型号：
FXT618STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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