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SS449A-L	文件：394.83 Kbytes Page：7 Pages	TemperatureCompensatedDigitalHall-EffectSensorICs DESCRIPTION TheSS400SeriessensorICsaresmall,versatile,digitalHall-effectdevicesthatareoperatedbythemagneticfieldfromapermanentmagnetoranelectromagnet,andaredesignedtorespondtoalternatingNorthandSouthpolesortoaSouthpoleonly.Bipolar,latchingandunipolarm	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
SS449R	文件：442.36 Kbytes Page：4 Pages	UnipolarHall-EffectDigitalPositionSensors	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
STU449S	文件：772.39 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
STUD449S	文件：129.21 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
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TA449XXW	文件：146.49 Kbytes Page：12 Pages	AsymmetricThyristor	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
UPD449	文件：182.45 Kbytes Page：4 Pages	2,048x8-BITSTATICCMOSRAM	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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详细参数

型号：
FXT449STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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